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- Category: Books
(Technology & Engineering)
- Author:
Schrenk, H.
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Author:
Schrenk, H.
- ISBN-10:
3642811892
-
ISBN-10:
3642811892
- ISBN-13:
9783642811890
-
ISBN-13:
9783642811890
- Publisher:
Springer
-
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Springer
- Binding:
Paperback
-
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Paperback
- Pub Date:
01-Feb-2013
-
Pub Date:
01-Feb-2013
- SKU:
3642811892-11-SPRI
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Bezeichnungen und Symbole.- 1 Grundlagen.- 1.1 Funktionsweise.- 1.1.1 Einleitung.- 1.1.2 Grundprinzip.- 1.1.3 pn-?bergang.- 1.1.4 Diffusionstransistor.- 1.1.5 npn- und np?n-Transistor.- 1.1.6 Drifttransistor.- 1.1.7 Basisweitenmodulation und Durchgreifspannung.- 1.2 Gro?signal verhalten und Kennlinien.- 1.2.1 Gleichungen von Ebers-Moll.- 1.2.2 Ausgangskennlinienfeld in Basisschaltung.- 1.2.3 Ausgangskennlinienfeld in Emitterschaltung.- 1.2.4 Eingangskennlinien und Sperrstr?me.- 1.3 Kleinsignalverhalten.- 1.3.1 Vierpolparameter.- 1.3.2 Streuparameter.- 1.3.3 Elemente des physikalischen Ersatzschaltbildes.- 1.3.4 Physikalische Ersatzschaltung des realen Transistors.- 1.3.5 Betriebsverhalten.- 2 Kenndaten.- 2.1 Stromverst?rkung.- 2.1.1 Rekombinationsvorg?nge.- 2.1.2 Emitter-Injektionsstromverh?ltnis und Emitterwirkungsgrad.- 2.1.3 Raumladungs-und Oberfl?cheneffekte.- 2.1.4 Starke Injektion.- 2.1.5 Basisaufweitung.- 2.1.6 Basis widerstand und Emitterrandverdr?ngung.- 2.1.7 Stromverst?rkungsverlauf.- 2.2 Hochfrequenzverhalten.- 2.2.1 Stromverst?rkung in Basisschaltung.- 2.2.2 Stromverst?rkung in Emitterschaltung.- 2.2.3 Laufzeiteffekte.- 2.2.4 Leitwertparameter.- 2.2.5 LeistungsVerst?rkung und Schwingfrequenz.- 2.3 Schaltverhalten.- 2.3.1 Transistor als Schalter.- 2.3.2 Ladungssteuerung.- 2.3.3 Schaltverhalten nach der Ladungssteuerungstheorie.- 2.3.4 Schaltverhalten realer Transistoren.- 2.4 Rauschen.- 2.4.1 Eigenschaften von Rauschvorg?ngen.- 2.4.2 Darstellung und Messung.- 2.4.3 Schrotrauschen.- 2.4.4 1/f-Rauschen.- 2.4.5 Bistabiles Rauschen.- 3 Grenzdaten.- 3.1 Zuverl?ssigkeit und thermisches Verhalten.- 3.1.1 Bedeutung von Grenzdaten.- 3.1.2 Sicherer Arbeitsbereich.- 3.1.3 Thermische Eigenschaften.- 3.2 Sperrverhalten.- 3.2.1 Grundlagen.- 3.2.2 Diodendurchbruch und Lawinenmultiplikation.- 3.2.3 Strom- oder Injektionsdurchbruch.- 3.2.4 Sperrstr?me.- 3.2.5 Technische Besonderheiten hochsperrender Transistoren.- 3.3 Zweiter Durchbruch.- 3.3.1 Inhomogene TemperaturvertelS$