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Einfhrung in die Physik des Transistors [Paperback]

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  • Category: Books (Science)
  • Author:  G?rtner, Wolfgang W.
  • Author:  G?rtner, Wolfgang W.
  • ISBN-10:  3642928560
  • ISBN-10:  3642928560
  • ISBN-13:  9783642928567
  • ISBN-13:  9783642928567
  • Publisher:  Springer
  • Publisher:  Springer
  • Binding:  Paperback
  • Binding:  Paperback
  • Pub Date:  01-Feb-2012
  • Pub Date:  01-Feb-2012
  • SKU:  3642928560-11-SPRI
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  • Item ID: 100765830
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Erster Teil Der Transistor.- 1. Einf?hrung.- A. Erfindung und Entwicklung des Transistors.- B. Die Wirkungsweise des Transistors.- C. Aufbau des Buches.- Literaturverzeichnis zu Kapitel 1.- Zweiter Teil Halbleiterphysik.- 2. Grundlegende Begriffe der Halbleiterphysik.- A. Energieb?nder in Halbleitern und der Bandabstand.- B. St?rstellenniveaus.- C. Tr?gerdichten.- D. Tr?gertransportgleichungen.- Literaturverzeichnis zu Kapitel 2.- 3. Halbleitereigenschaften.- A. Elektronen- und Defektelektronendriftbeweglichkeiten.- B. Tr?gergeschwindigkeiten im hohen elektrischen Feld.- C. Spezifische Widerst?nde.- D. Diffusionskonstanten f?r Elektronen und Defektelektronen.- E. Volumen- und Oberfl?chenrekombination; Lebensdauer und Oberfl?chenrekombinationsgeschwindigkeit.- Die Morton-Haynes-Methode. S..- Abfall der Photoleitf?higkeit nach Stevenson-Keyes. S..- Photomagnetoelektrischer (PME) Effekt. S..- ?bliche Werte f?r Lebensdauern und die Lage des Rekombi-nationsniveaus. S..- Tr?gererzeugung und -rekombination in der Raumladungszone eines PN-?berganges. S..- F. Diffusionsl?nge.- G. Dielektrizit?tskonstante.- H. Tr?gervervielfachung.- I. Andere Materialkonstanten.- Literaturverzeichnis zu Kapitel 3.- 4. Der PN-?bergang.- A. Zusammenh?nge zwischen Tr?gerdichten und Spannungen an PN-?berg?ngen.- Geringe Injektion auf beiden Seiten des PN-?berganges. S..- Geringe Injektion auf der P-Seite, beliebige Injektion auf der N-Seite, und umgekehrt. S..- B. Raumladungszonen an PN-?berg?ngen.- C. Die Sperrschicht-Kapazit?t.- D. Durchbruch am ?bergang.- E. Ohmsche Kontakte.- Literaturverzeichnis zu Kapitel 4.- Zusammenfassung von Teil II.- Wiederholungsfragen zu Teil II.- Dritter Teil Aufbau und Eigenschaften von Transistoren.- 5. Der Fl?chentransistor.- A. Untersuchung des Kleinsignalverhaltens (eindimensionaler Fall).- B. Kleinsignaluntersuchung im dreidimensionalen Fall.- Die dreidimensionale Theorie f?r rechtwinklige Geometrie mit Oberfl?chenrekombination. S..- Dreidimensionale Theorie fl“r
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