Einflu von Getterprozessen auf die Eigenschaften von ionenimplantierten integri [Paperback]

1. Kurzfassung.- 2. Ausgangszielsetzung.- 3. Beschreibung der Teststrukturen.- 3.1 Layout.- 3.2 Technologie.- 4. Angewandte Me?verfahren.- 4.1 Methoden zur Bestimmung der Minorit?tstr?gerlebensdauer.- 4.2 Messung der Sperrstr?me.- 4.3 Messung der spektralen Empfindlichkeit.- 5. Einflu? der Optimierungsm?glichkeiten.- 5.1. Dicke des als Antireflexionsschicht benutzten Oxids.- 5.2. Vergleich verschiedener implantierter Profile.- 5.3 Einflu? von Gettertechniken.- 5.4 Layouteinflu?.- 6. Vergleich der Fotodioden in p-Kanal, n-Kanal und CMOS-Technologie.- 6.1 Spektrale Empfindlichkeit.- 6.2 Sperrstr?me.- 6.3 Schaltzeiten.- 7. Literaturverzeichnis.- 8. Bildanhang.