Silizium-Planartechnologie: Grundprozesse, Physik und Bauelemente [Paperback]

1. Technologische Grundprozesse.- 1.1 Die Planartechnologie des Silizium.- 1.2 Mikrolithographie.- 1.3 Thermische Oxidation des Silizium.- 1.4 Diffusion.- 1.5 Reinigung der Siliziumoberfl?che.- 1.6 ?tzverfahren der Siliziumbauelemente.- 1.7 Durchf?hrung von Dotierstoff-Diffusionen.- 1.8 Simulation der Prozesstechnologie.- 1.9 Ionenimplantation von Dotierstoffen.- 1.10 Herstellung von Epitaxie-Schichten.- 1.11 Metallisierung.- 1.12 Aluminium-Metallisierung.- 1.13 Polysilizium-Leiterbahnen.- 1.14 Silicon-Gate-Technik.- 1.15 Refrakt?rmetall-Beschichtungen.- 1.16 CMOS-Prozesstechnologie.- 2. Grundlagen der Halbleiterphysik f?r Siliziumbauelemente.- 2.1 Die Grundgleichungen.- 2.2 Die Ladungstr?gerdichten im thermischen Gleichgewicht.- 2.3 Die Eigenleitungsdichte und ihre Abh?ngigkeit von der Temperatur.- 2.4 Koeffizienten der Driftstromanteile.- 2.5 Koeffizienten der Diffusionsstromanteile.- 2.6 Quasi-Fermi-Energien.- 2.7 Drift- und Diffusionsstrom f?r den Fall des Nicht-Gleichgewichts der Ladungstr?ger.- 2.8 Die ?berschuss-Rekombinationsrate in den Kontinuit?tsgleichungen.- 2.9 Die Poisson-Gleichung.- 2.10 Halbleiterrechnungen bei Niedrig- und Hochinjektion.- 3. Integrierte Widerst?nde und Kondensatoren.- 3.1 Integrierte Widerst?nde.- 3.2 Integrierte Kondensatoren.- 4. Der pn-?bergang.- 4.1 Planare Silizium-Dioden und ihre Kennlinien.- 4.2 Shockley-Modell der Diodenkennlinie.- 4.3 Erweitertes Modell der Diodenkennlinie durch Ber?cksichtigung der RLZ-Rekombination.- 5. Der Metall-Halbleiter-Kontakt.- 5.1 Einf?hrung.- 5.2 Das ideale Energieb?ndermodell des Metall-Halbleiter-Kontaktes.- 5.3 Das reale Energieb?ndermodell des Metall-Halbleiter-Kontaktes.- 5.4 Strom-Spannungskennlinie von Schottky-Dioden.- 5.5 Der Kontaktwiderstand.- 5.6 Vorfaktor 1/4 dermittleren Geschwindigkeit f?r den Halbraum.- 6. Die Halbleiteroberfl?che anhand des MOS-Varaktors.- 6.1 Vorbetrachtung zum idealisierten MOS-Varaktor.- 6.2 Die Raumladungsschicht an der Halbleiteroberfl?che.- 6.3 Diskussion dlS3