Wissenschaftliche Forschungsberichte, Reihe I, Abt. A., Band 68Kap. 1. Der idealisierte Halbleiter.- 1.0 Allgemeines.- 1.1 Das freie Elektron.- 1.2 Das Elektron im Potentialtopf.- 1.3 Das Elektron im periodischen Potential.- 1.4 Die Besetzung der Elektronenzust?nde.- 1.5 Die Besetzung der obersten Energieb?nder; Fermi Statistik.- Kap. 2. Der Halbleiter mit St?rstellen.- 2.0 Allgemeines.- 2.1 St?rungen im regelm??igen Kristallbau.- 2.2 Der St?rhalbleiter im B?ndermodell.- 2.3 Elektron und St?rstelle als Partner einer quasichemischen Reaktion.- 2.3,1 Die Symbolik der St?rstellenchemie (mit Beispielen).- 2.3,2 Eigenst?rstellen.- 2.3,3 Farbzentren und verwandte St?rstellen.- 2.4 Die wichtigsten St?rstellenarten.- Kap. 3. Der Halbleiter unter der Wirkung elektromagnetischer Felder und dem Einflu? der Temperatur.- 3.0 Allgemeines.- 3.1 Geschwindigkeit und Beschleunigung des Elektrons.- 3.2 Die korpuskularen Eigenschaften des Elektrons und des Defektelektrons.- 3.2,1 Scheinmasse; ?quivalenz von Elektron und Defektelektron.- 3.2,2 Beweglichkeit, Relaxationszeit und freie Wegl?nge.- 3.3 Das Elektron unter der gleichzeitigen Wirkung eines elektrischen und eines magnetischen Feldes.- 3.3,1 Der Hall-Effekt.- 3.3,2 Die Zyklotron-Resonanz.- 3.4 Der Einflu? der Temperatur auf die Halbleitereigenschaften.- Kap. 4. Die Halbleiteroberfl?che.- 4.0 Allgemeines.- 4.1 Die freie Oberfl?che.- 4.1,1 Der allgemeine Ansatz zur Berechnung der Potentialverteilung.- 4.1,2 Quantitative Berechnung der Potentialverteilung f?r einen speziellen Halbleitertyp.- 4.2 Der Kontakt zwischen zwei Elektronenleitern.- 4.2,1 Der Kontakt Halbleiter-Metall.- 4.2,2 Der Kontakt Halbleiter-Halbleiter.- Kap. 5. Der Halbleiter mit gest?rtem thermodynamischen Gleichgewicht.- 5.0 Allgemeines.- 5.0,1 Ein allgemeines Gleichungssystem.- 5.0,2 Lebensdauer und Diffusionsl?nge.- 5.1 Die p-n-Grenze.- 5.1,1 Der Gleichrichter.- 5.1,2 Der Transistor.- 5.2 Die Thermospannung.- 5.3 Der innere Photoeffekt.- 5.3,1 Der Photowiderstl/