Integrierte Bipolarschaltungen [Paperback]

Bezeichnungen und Symbole.- 1 Einleitung.- 2 Herstellung integrierter Schaltungen.- 2.1 Struktur einer integrierten Bipolarschaltung.- 2.2 Schritte bei Entwurf und Herstellung integrierter Schaltungen  eine ?bersicht.- 2.3 Technologische Verfahren der Silizium-Planartechnik. Proze?folge.- 2.3.1 Fotolack-und ?tztechnik.- 2.3.2 Herstellung der Substratscheiben.- 2.3.3 Epitaxie.- 2.3.4 Dotierungsverfahren.- 2.3.4.1 Dotierungselemente in der Silizium-Planartechnik.- 2.3.4.2 Dotierungsverlauf in einem integrierten Transistor.- 2.3.4.3 Diffusion von Dotierungsatomen.- 2.3.4.4 Ionenimplantation.- 2.3.5 Herstellung von Siliziumdioxid-Schichten.- 2.3.6 Metallisierung.- 2.3.7 Proze?folge bei der Integration.- 2.4 Einige spezielle Isolationsverfahren.- 3 Elemente integrierter Schaltungen  Aufbau, Eigenschaften, Dimensionierung.- 3.1 Widerst?nde.- 3.1.1 Spezifischer Widerstand und Driftbeweglichkeit.- 3.1.2 Dimensionierung eines typischen integrierten Widerstandes.- 3.1.3 Weitere Widerstandsformen.- 3.1.4 Quantitativer Zusammenhang zwischen Schichtwiderstand und Dotierungsprofil. Messung des Schichtwiderstandes.- 3.2 Leiterbahnkreuzungen.- 3.3 Kondensatoren und parasit?re Kapazit?ten.- 3.3.1 Berechnung der Sperrschichtkapazit?ten.- 3.3.2 Ausf?hrungsformen integrierter Kondensatoren.- 3.4 pn-Dioden.- 3.5 Schottky-Dioden.- 3.6 Integrierte Transistorstrukturen.- 3.6.1 Zusammenfassung mehrerer npn-Transistoren.- 3.6.2 pnp-Transistoren.- 3.7 Ersatzschaltbilder und Kenngr??en integrierter Transistoren.- 3.7.1 Transistorersatzschaltbilder.- 3.7.2 Einige wichtige Transistorparameter.- 3.7.2.1 Stromverst?rkung.- 3.7.2.2 Durchla?spannung der Basis-Emitter-Diode.- 3.7.2.3 Basisbahnwiderstand.- 3.7.2.4 Restspannung (S?ttigungsspannung) und Kollektorbahnwiderstand.- 3.7.2.5 Transitfrequenz und Basislaufzeit.- 3.7.2.6 S?ttigungszeitkonstante.- 3.7.2.7 Sperrschichtkapazit?ten.- 3.7.3 Zahlenbeispiel zu den Transistorparametern.- 3.7.4 Dimensionierung des Transistors zur Vermeidung von Hochstl³Ë